RJK2009DPM-00#T0 - MOSFET N-CH 200V 40A TO3PFM

제조업체 부품 번호

RJK2009DPM-00#T0

내부 부품 번호

AX-RJK2009DPM-00#T0

제조사

Renesas Electronics America

간단한 설명

MOSFET N-CH 200V 40A TO3PFM

RoHS 상태

무연 / RoHS 준수

배달 시간

1-2 일

주문 가능 수량

17232 Pieces

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사양 RJK2009DPM-00#T0

품질 보증 : 365 일 보증

재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접

원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

부품 번호 : RJK2009DPM-00#T0

제조사 : Renesas Electronics America

기술 : MOSFET N-CH 200V 40A TO3PFM

시리즈 : -

부품 상태 : Active

FET 유형 : N-Channel

과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)

드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 200V

전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 40A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs : 36 mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ ID : -

게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 72nC @ 10V

Vgs (최대) : ±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 2900pF @ 25V

FET 특징 : -

전력 발산 (최대) : 60W (Tc)

작동 온도 : -

실장 형 : Through Hole

공급 업체 장치 패키지 : TO-3PFM

패키지 / 케이스 : TO-3PFM, SC-93-3

무게 : -

조건 : 새롭고 독창적

에 대한 문서 RJK2009DPM-00#T0

데이터 시트 : RJK2009DPM-00#T0.pdf

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