RJK2009DPM-00#T0 데이터 시트
사양 RJK2009DPM-00#T0
부품 번호 : RJK2009DPM-00#T0
제조사 : Renesas Electronics America
기술 : MOSFET N-CH 200V 40A TO3PFM
시리즈 : -
부품 상태 : Active
FET 유형 : N-Channel
과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 200V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 40A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 36 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID : -
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 72nC @ 10V
Vgs (최대) : ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 2900pF @ 25V
FET 특징 : -
전력 발산 (최대) : 60W (Tc)
작동 온도 : -
실장 형 : Through Hole
공급 업체 장치 패키지 : TO-3PFM
패키지 / 케이스 : TO-3PFM, SC-93-3
무게 : -
조건 : 새롭고 독창적
품질 보증 : 365 일 보증
재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접
원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
제조업체 부품 번호
내부 부품 번호
간단한 설명
MOSFET N-CH 200V 40A TO3PFM
RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
배달 시간
1-2 일
주문 가능 수량
17232 조각
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