EFC4618R-P-TR - MOSFET 2N-CH EFCP1818

제조업체 부품 번호

EFC4618R-P-TR

내부 부품 번호

AX-EFC4618R-P-TR

제조사

ON Semiconductor

간단한 설명

MOSFET 2N-CH EFCP1818

RoHS 상태

무연 / RoHS 준수

배달 시간

1-2 일

주문 가능 수량

28574 Pieces

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사양 EFC4618R-P-TR

품질 보증 : 365 일 보증

재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접

원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

부품 번호 : EFC4618R-P-TR

제조사 : ON Semiconductor

기술 : MOSFET 2N-CH EFCP1818

시리즈 : -

부품 상태 : Obsolete

FET 유형 : 2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 특징 : Logic Level Gate, 2.5V Drive

드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : -

전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : -

Rds On (최대) @ Id, Vgs : -

Vgs (th) (최대) @ ID : -

게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 25.4nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : -

전력 - 최대 : 1.6W

작동 온도 : 150°C (TJ)

실장 형 : Surface Mount

패키지 / 케이스 : 4-XBGA, 4-FCBGA

공급 업체 장치 패키지 : EFCP1313-4CC-037

무게 : -

조건 : 새롭고 독창적

에 대한 문서 EFC4618R-P-TR

데이터 시트 : EFC4618R-P-TR.pdf

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