K4B4G0846D-BYNB - 4 Gb 512M x 8 2133 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production
제조업체 부품 번호
내부 부품 번호
간단한 설명
4 Gb 512M x 8 2133 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production
RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
배달 시간
1-2 일
주문 가능 수량
135750 Pieces
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사양 K4B4G0846D-BYNB
품질 보증 :
365 일 보증
재고 자원 :
프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접
원산지 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
부품 번호 :
K4B4G0846D-BYNB
제조사 :
Samsung Semiconductor
기술 :
4 Gb 512M x 8 2133 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production
시리즈 :
DDR3
밀도 :
4 Gb
조직. :
512M x 8
속도 :
2133 Mbps
전압 :
1.35 V
온도. :
0 ~ 85 °C
꾸러미 :
78FBGA
제품 상태 :
Mass Production
무게 :
-
조건 :
새롭고 독창적
에 대한 문서 K4B4G0846D-BYNB
데이터 시트 :
K4B4G0846D-BYNB.pdf
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Vishay Beyschlag |
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CAP CER 5.9PF 50V NP0 0201. |
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Vishay Vitramon |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 5000PF 14KV SCREW. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 1500PF 30KV R85 AXIAL. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 5000PF 16KV SCREW. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 1500PF 14KV SCREW. |
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AVX Corporation |
CAP CER 0.022UF 50V X7R 1206. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 10000PF 13KV R230 DISK. |
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Vishay Beyschlag |
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Vishay Beyschlag |
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Vishay Beyschlag |
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Vishay Beyschlag |
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KEMET |
CAP CER 0805 150NF 63V X7R 10. |