IPB65R660CFDAATMA1 - MOSFET N-CH TO263-3

제조업체 부품 번호

IPB65R660CFDAATMA1

내부 부품 번호

AX-IPB65R660CFDAATMA1

제조사

Infineon Technologies

간단한 설명

MOSFET N-CH TO263-3

RoHS 상태

무연 / RoHS 준수

배달 시간

1-2 일

주문 가능 수량

412855 Pieces

참조 가격

~~USD 0.679566~~

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사양 IPB65R660CFDAATMA1

품질 보증 : 365 일 보증

재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접

원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

부품 번호 : IPB65R660CFDAATMA1

제조사 : Infineon Technologies

기술 : MOSFET N-CH TO263-3

시리즈 : Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™

부품 상태 : Active

FET 유형 : N-Channel

과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)

드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 650V

전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 6A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs : 660 mOhm @ 3.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ ID : 4.5V @ 200µA

게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 20nC @ 10V

Vgs (최대) : ±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 543pF @ 100V

FET 특징 : -

전력 발산 (최대) : 62.5W (Tc)

작동 온도 : -40°C ~ 150°C (TJ)

실장 형 : Surface Mount

공급 업체 장치 패키지 : D²PAK (TO-263AB)

패키지 / 케이스 : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

무게 : -

조건 : 새롭고 독창적

관련된 링크들 : IPB65R , IPB65R660

에 대한 문서 IPB65R660CFDAATMA1

데이터 시트 : IPB65R660CFDAATMA1.pdf

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