PHKD13N03LT,518 - MOSFET 2N-CH 30V 10.4A 8SOIC

제조업체 부품 번호
내부 부품 번호
제조사
간단한 설명
MOSFET 2N-CH 30V 10.4A 8SOIC
RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
배달 시간
1-2 일
주문 가능 수량
27440 Pieces
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USD 0
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사양 PHKD13N03LT,518

품질 보증 : 365 일 보증
재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접
원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
부품 번호 : PHKD13N03LT,518
제조사 : Nexperia USA Inc.
기술 : MOSFET 2N-CH 30V 10.4A 8SOIC
시리즈 : TrenchMOS™
부품 상태 : Obsolete
FET 유형 : 2 N-Channel (Dual)
FET 특징 : Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 10.4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID : 2V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 10.7nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 752pF @ 15V
전력 - 최대 : 3.57W
작동 온도 : -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 : Surface Mount
패키지 / 케이스 : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급 업체 장치 패키지 : 8-SO
무게 : -
조건 : 새롭고 독창적
관련된 링크들 : PHKD1 , PHKD13N

에 대한 문서 PHKD13N03LT,518

데이터 시트 : PHKD13N03LT,518.pdf

관련 제품 PHKD13N03LT,518 Nexperia USA Inc.

부품 번호 상표 기술 구입

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CAP CER 8.1PF 25V NP0 0402.

B37987F1223M051

EPCOS (TDK)

CAP CER 0.022UF 100V X7R RADIAL.

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CAP CER 5000PF 20KV SCREW.

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