SIS606BDN-T1-GE3 - MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212
제조업체 부품 번호
내부 부품 번호
제조사
간단한 설명
MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212
RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
배달 시간
1-2 일
주문 가능 수량
663080 Pieces
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사양 SIS606BDN-T1-GE3
품질 보증 : 365 일 보증
재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접
원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
부품 번호 : SIS606BDN-T1-GE3
제조사 : Vishay Siliconix
기술 : MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212
시리즈 : TrenchFET® Gen IV
부품 상태 : Active
FET 유형 : N-Channel
과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 100V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 9.4A (Ta), 35.3A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 7.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 17.4 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID : 4V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 30nC @ 10V
Vgs (최대) : ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 1470pF @ 50V
FET 특징 : -
전력 발산 (최대) : 3.7W (Ta), 52W (Tc)
작동 온도 : -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 : Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 : PowerPAK® 1212-8
패키지 / 케이스 : PowerPAK® 1212-8
무게 : -
조건 : 새롭고 독창적
에 대한 문서 SIS606BDN-T1-GE3
데이터 시트 : SIS606BDN-T1-GE3.pdf
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