DMT3011LDT-7 - MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8

제조업체 부품 번호

DMT3011LDT-7

내부 부품 번호

AX-DMT3011LDT-7

제조사

Diodes Incorporated

간단한 설명

MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8

RoHS 상태

무연 / RoHS 준수

배달 시간

1-2 일

주문 가능 수량

1157780 Pieces

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사양 DMT3011LDT-7

품질 보증 : 365 일 보증

재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접

원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

부품 번호 : DMT3011LDT-7

제조사 : Diodes Incorporated

기술 : MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8

시리즈 : -

부품 상태 : Active

FET 유형 : 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET 특징 : Standard

드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 30V

전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 8A, 10.7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ ID : 3V @ 250µA

게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 13.2nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 641pF @ 15V

전력 - 최대 : 1.9W

작동 온도 : -55°C ~ 155°C (TJ)

실장 형 : Surface Mount

패키지 / 케이스 : 8-VDFN Exposed Pad

공급 업체 장치 패키지 : V-DFN3030-8 (Type K)

무게 : -

조건 : 새롭고 독창적

에 대한 문서 DMT3011LDT-7

데이터 시트 : DMT3011LDT-7.pdf

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