RN1705JE(TE85L,F) - TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
제조업체 부품 번호
내부 부품 번호
간단한 설명
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
배달 시간
1-2 일
주문 가능 수량
5301660 Pieces
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사양 RN1705JE(TE85L,F)
품질 보증 : 365 일 보증
재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접
원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
부품 번호 : RN1705JE(TE85L,F)
제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage
기술 : TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
시리즈 : -
부품 상태 : Active
트랜지스터 유형 : 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) : 100mA
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) : 50V
저항기 -베이스 (R1) : 2.2 kOhms
저항기 - 이미 터베이스 (R2) : 47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce : 80 @ 10mA, 5V
Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic : 300mV @ 250µA, 5mA
전류 - 콜렉터 차단 (최대) : 100nA (ICBO)
빈도 - 전환 : 250MHz
전력 - 최대 : 100mW
실장 형 : Surface Mount
패키지 / 케이스 : SOT-553
공급 업체 장치 패키지 : ESV
무게 : -
조건 : 새롭고 독창적
에 대한 문서 RN1705JE(TE85L,F)
데이터 시트 : RN1705JE(TE85L,F).pdf
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