JAN1N6641US - DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF

제조업체 부품 번호
내부 부품 번호
간단한 설명
DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF
RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
배달 시간
1-2 일
주문 가능 수량
47250 Pieces
참조 가격
USD 7.1247
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사양 JAN1N6641US

품질 보증 : 365 일 보증
재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접
원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
부품 번호 : JAN1N6641US
제조사 : Microsemi Corporation
기술 : DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF
시리즈 : Military, MIL-PRF-19500/609
부품 상태 : Active
다이오드 유형 : Standard
전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) : 50V
전류 - 평균 정류 (Io) : 300mA
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If : 1.1V @ 300mA
속도 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 회복 시간 (trr) : 5ns
전류 - 역방향 누설량 (Vr) : 100nA @ 50V
커패시턴스 @ Vr, F : -
실장 형 : Surface Mount
패키지 / 케이스 : SQ-MELF, B
공급 업체 장치 패키지 : D-5B
작동 온도 - 정션 : -65°C ~ 175°C
무게 : -
조건 : 새롭고 독창적
관련된 링크들 : JAN , JAN1N

에 대한 문서 JAN1N6641US

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관련 제품 JAN1N6641US Microsemi Corporation

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WF135250WL50238BJ1

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