EPC2105ENG - GAN TRANS 2N-CH 80V BUMPED DIE

제조업체 부품 번호

EPC2105ENG

내부 부품 번호

AX-EPC2105ENG

제조사

EPC

간단한 설명

GAN TRANS 2N-CH 80V BUMPED DIE

RoHS 상태

무연 / RoHS 준수

배달 시간

1-2 일

주문 가능 수량

28483 Pieces

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사양 EPC2105ENG

품질 보증 : 365 일 보증

재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접

원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

부품 번호 : EPC2105ENG

제조사 : EPC

기술 : GAN TRANS 2N-CH 80V BUMPED DIE

시리즈 : eGaN®

부품 상태 : Discontinued at Digi-Key

FET 유형 : 2 N-Channel (Half Bridge)

FET 특징 : GaNFET (Gallium Nitride)

드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 80V

전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 9.5A, 38A

Rds On (최대) @ Id, Vgs : 14.5 mOhm @ 20A, 5V

Vgs (th) (최대) @ ID : 2.5V @ 2.5mA

게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 2.5nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 300pF @ 40V

전력 - 최대 : -

작동 온도 : -40°C ~ 150°C (TJ)

실장 형 : Surface Mount

패키지 / 케이스 : Die

공급 업체 장치 패키지 : Die

무게 : -

조건 : 새롭고 독창적

에 대한 문서 EPC2105ENG

데이터 시트 : EPC2105ENG.pdf

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