PSMN4R3-80ES,127 - MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK

제조업체 부품 번호

PSMN4R3-80ES,127

내부 부품 번호

AX-PSMN4R3-80ES,127

제조사

Nexperia USA Inc.

간단한 설명

MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK

RoHS 상태

무연 / RoHS 준수

배달 시간

1-2 일

주문 가능 수량

336095 Pieces

참조 가격

~~USD 0.83475~~

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사양 PSMN4R3-80ES,127

품질 보증 : 365 일 보증

재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접

원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

부품 번호 : PSMN4R3-80ES,127

제조사 : Nexperia USA Inc.

기술 : MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK

시리즈 : -

부품 상태 : Active

FET 유형 : N-Channel

과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)

드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 80V

전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 120A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs : 4.3 mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ ID : 4V @ 1mA

게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 111nC @ 10V

Vgs (최대) : ±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 8161pF @ 40V

FET 특징 : -

전력 발산 (최대) : 306W (Tc)

작동 온도 : -55°C ~ 175°C (TJ)

실장 형 : Through Hole

공급 업체 장치 패키지 : I2PAK

패키지 / 케이스 : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

무게 : -

조건 : 새롭고 독창적

에 대한 문서 PSMN4R3-80ES,127

데이터 시트 : PSMN4R3-80ES,127.pdf

관련 제품 PSMN4R3-80ES,127 Nexperia USA Inc.

부품 번호	상표	기술
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