HTNFET-DC - MOSFET N-CH 55V 8-DIP
제조업체 부품 번호
내부 부품 번호
AX-HTNFET-DC
간단한 설명
MOSFET N-CH 55V 8-DIP
RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
배달 시간
1-2 일
주문 가능 수량
9150 Pieces
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사양 HTNFET-DC
품질 보증 : 365 일 보증
재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접
원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
부품 번호 : HTNFET-DC
제조사 : Honeywell Aerospace
기술 : MOSFET N-CH 55V 8-DIP
시리즈 : HTMOS™
부품 상태 : Active
FET 유형 : N-Channel
과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 55V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 400 mOhm @ 100mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ ID : 2.4V @ 100µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 4.3nC @ 5V
Vgs (최대) : 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 290pF @ 28V
FET 특징 : -
전력 발산 (최대) : 50W (Tj)
작동 온도 : -
실장 형 : Through Hole
공급 업체 장치 패키지 : -
패키지 / 케이스 : 8-CDIP Exposed Pad
무게 : -
조건 : 새롭고 독창적
에 대한 문서 HTNFET-DC
데이터 시트 : HTNFET-DC.pdf
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