IGOT60R070D1AUMA1 - IC GAN FET 600V 60A 20DSO
제조업체 부품 번호
내부 부품 번호
간단한 설명
IC GAN FET 600V 60A 20DSO
RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
배달 시간
1-2 일
주문 가능 수량
36694 Pieces
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사양 IGOT60R070D1AUMA1
품질 보증 : 365 일 보증
재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접
원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
부품 번호 : IGOT60R070D1AUMA1
제조사 : Infineon Technologies
기술 : IC GAN FET 600V 60A 20DSO
시리즈 : CoolGaN™
부품 상태 : Active
FET 유형 : N-Channel
과학 기술 : GaNFET (Gallium Nitride)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 600V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 31A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : -
Rds On (최대) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (최대) @ ID : 1.6V @ 2.6mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : -
Vgs (최대) : -10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 380pF @ 400V
FET 특징 : -
전력 발산 (최대) : 125W (Tc)
작동 온도 : -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 : Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 : PG-DSO-20-87
패키지 / 케이스 : 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
무게 : -
조건 : 새롭고 독창적
에 대한 문서 IGOT60R070D1AUMA1
데이터 시트 : IGOT60R070D1AUMA1.pdf
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