EPC2015 - GANFET TRANS 40V 33A BUMPED DIE
제조업체 부품 번호
내부 부품 번호
AX-EPC2015
제조사
간단한 설명
GANFET TRANS 40V 33A BUMPED DIE
RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
배달 시간
1-2 일
주문 가능 수량
10080 Pieces
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사양 EPC2015
품질 보증 : 365 일 보증
재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접
원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
부품 번호 : EPC2015
제조사 : EPC
기술 : GANFET TRANS 40V 33A BUMPED DIE
시리즈 : eGaN®
부품 상태 : Discontinued at Digi-Key
FET 유형 : N-Channel
과학 기술 : GaNFET (Gallium Nitride)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 40V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 33A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 4 mOhm @ 33A, 5V
Vgs (th) (최대) @ ID : 2.5V @ 9mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 11.6nC @ 5V
Vgs (최대) : +6V, -5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 1200pF @ 20V
FET 특징 : -
전력 발산 (최대) : -
작동 온도 : -40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 : Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 : Die Outline (11-Solder Bar)
패키지 / 케이스 : Die
무게 : -
조건 : 새롭고 독창적
에 대한 문서 EPC2015
데이터 시트 : EPC2015.pdf
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