IPC65R037C6X1SA2 - MOSFET N-CH BARE DIE

제조업체 부품 번호

IPC65R037C6X1SA2

내부 부품 번호

AX-IPC65R037C6X1SA2

제조사

Infineon Technologies

간단한 설명

MOSFET N-CH BARE DIE

RoHS 상태

무연 / RoHS 준수

배달 시간

1-2 일

주문 가능 수량

56184 Pieces

참조 가격

~~USD 5.991246~~

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사양 IPC65R037C6X1SA2

품질 보증 : 365 일 보증

재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접

원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

부품 번호 : IPC65R037C6X1SA2

제조사 : Infineon Technologies

기술 : MOSFET N-CH BARE DIE

시리즈 : *

부품 상태 : Active

FET 유형 : -

과학 기술 : -

드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : -

전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : -

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : -

Rds On (최대) @ Id, Vgs : -

Vgs (th) (최대) @ ID : -

게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : -

Vgs (최대) : -

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : -

FET 특징 : -

전력 발산 (최대) : -

작동 온도 : -

실장 형 : -

공급 업체 장치 패키지 : -

패키지 / 케이스 : -

무게 : -

조건 : 새롭고 독창적

에 대한 문서 IPC65R037C6X1SA2

데이터 시트 : IPC65R037C6X1SA2.pdf

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