PHD34NQ10T,118 - MOSFET N-CH 100V 35A DPAK

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간단한 설명
MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
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1-2 일
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사양 PHD34NQ10T,118

품질 보증 : 365 일 보증
재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접
원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
부품 번호 : PHD34NQ10T,118
제조사 : NXP USA Inc.
기술 : MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
시리즈 : TrenchMOS™
부품 상태 : Obsolete
FET 유형 : N-Channel
과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 100V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 35A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 40 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID : 4V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 40nC @ 10V
Vgs (최대) : ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 1704pF @ 25V
FET 특징 : -
전력 발산 (최대) : 136W (Tc)
작동 온도 : -55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 : Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 : DPAK
패키지 / 케이스 : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
무게 : -
조건 : 새롭고 독창적
관련된 링크들 : PHD3 , PHD34NQ

에 대한 문서 PHD34NQ10T,118

데이터 시트 : PHD34NQ10T,118.pdf

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