NCP81075DR2G - HIGH PERFORMANCE DUAL MOS

제조업체 부품 번호
내부 부품 번호
제조사
간단한 설명
HIGH PERFORMANCE DUAL MOS
RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
배달 시간
1-2 일
주문 가능 수량
493740 Pieces
참조 가격
USD 0.6318
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사양 NCP81075DR2G

품질 보증 : 365 일 보증
재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접
원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
부품 번호 : NCP81075DR2G
제조사 : ON Semiconductor
기술 : HIGH PERFORMANCE DUAL MOS
시리즈 : -
부품 상태 : Active
구동 구성 : High-Side or Low-Side
채널 유형 : Independent
드라이버 수 : 2
게이트 유형 : N-Channel MOSFET
전압 - 공급 : 8.5V ~ 20V
논리 전압 - VIL, VIH : 0.8V, 2.7V
전류 - 피크 출력 (소스, 싱크) : 4A, 4A
입력 유형 : Non-Inverting
하이 사이드 전압 - 최대 (부트 스트랩) : 200V
상승 / 하강 시간 (일반) : 8ns, 7ns
작동 온도 : -40°C ~ 140°C (TJ)
실장 형 : Surface Mount
패키지 / 케이스 : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급 업체 장치 패키지 : 8-SOIC
무게 : -
조건 : 새롭고 독창적
관련된 링크들 : NCP8 , NCP810

에 대한 문서 NCP81075DR2G

데이터 시트 : NCP81075DR2G.pdf

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