FDMS3669S - MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A PWR56

제조업체 부품 번호
내부 부품 번호
제조사
간단한 설명
MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A PWR56
RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
배달 시간
1-2 일
주문 가능 수량
1465850 Pieces
참조 가격
USD 0.1914
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사양 FDMS3669S

품질 보증 : 365 일 보증
재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접
원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
부품 번호 : FDMS3669S
제조사 : ON Semiconductor
기술 : MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A PWR56
시리즈 : PowerTrench®
부품 상태 : Active
FET 유형 : 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 특징 : Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 13A, 18A
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID : 2.7V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 24nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 1605pF @ 15V
전력 - 최대 : 1W
작동 온도 : -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 : Surface Mount
패키지 / 케이스 : 8-PowerTDFN
공급 업체 장치 패키지 : Power56
무게 : -
조건 : 새롭고 독창적
관련된 링크들 : FDM , FDMS

에 대한 문서 FDMS3669S

데이터 시트 : FDMS3669S.pdf

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