FDMS3669S - MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A PWR56

제조업체 부품 번호

FDMS3669S

내부 부품 번호

AX-FDMS3669S

제조사

ON Semiconductor

간단한 설명

MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A PWR56

RoHS 상태

무연 / RoHS 준수

배달 시간

1-2 일

주문 가능 수량

1465850 Pieces

참조 가격

~~USD 0.1914~~

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사양 FDMS3669S

품질 보증 : 365 일 보증

재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접

원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

부품 번호 : FDMS3669S

제조사 : ON Semiconductor

기술 : MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A PWR56

시리즈 : PowerTrench®

부품 상태 : Active

FET 유형 : 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET 특징 : Logic Level Gate

드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 30V

전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 13A, 18A

Rds On (최대) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (최대) @ ID : 2.7V @ 250µA

게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 24nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 1605pF @ 15V

전력 - 최대 : 1W

작동 온도 : -55°C ~ 150°C (TJ)

실장 형 : Surface Mount

패키지 / 케이스 : 8-PowerTDFN

공급 업체 장치 패키지 : Power56

무게 : -

조건 : 새롭고 독창적

에 대한 문서 FDMS3669S

데이터 시트 : FDMS3669S.pdf

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