SIRB40DP-T1-GE3 - MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
제조업체 부품 번호
내부 부품 번호
제조사
간단한 설명
MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
배달 시간
1-2 일
주문 가능 수량
704010 Pieces
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사양 SIRB40DP-T1-GE3
품질 보증 :
365 일 보증
재고 자원 :
프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접
원산지 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
부품 번호 :
SIRB40DP-T1-GE3
제조사 :
Vishay Siliconix
기술 :
MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
시리즈 :
TrenchFET®
부품 상태 :
Active
FET 유형 :
2 N-Channel (Dual)
FET 특징 :
Standard
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
40V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
40A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
3.25 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
2.4V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
45nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
4290pF @ 20V
전력 - 최대 :
46.2W
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 :
Surface Mount
패키지 / 케이스 :
PowerPAK® SO-8 Dual
공급 업체 장치 패키지 :
PowerPAK® SO-8 Dual
무게 :
-
조건 :
새롭고 독창적
에 대한 문서 SIRB40DP-T1-GE3
데이터 시트 :
SIRB40DP-T1-GE3.pdf
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Vishay Beyschlag |
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