K4U8E3S4AD-GHCL - 8 Gb x32 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production

제조업체 부품 번호
내부 부품 번호
간단한 설명
8 Gb x32 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production
RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
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사양 K4U8E3S4AD-GHCL

품질 보증 : 365 일 보증
재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접
원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
부품 번호 : K4U8E3S4AD-GHCL
제조사 : Samsung Semiconductor
기술 : 8 Gb x32 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production
시리즈 : DDR3
밀도 : 8 Gb
조직. : x32
속도 : 4266 Mbps
전압 : 1.8 / 1.1 / 0.6 V
온도. : -40 ~ 105 °C
꾸러미 : 200FBGA
제품 상태 : Mass Production
무게 : -
조건 : 새롭고 독창적
관련된 링크들 : K4U8E , K4U8E3S

에 대한 문서 K4U8E3S4AD-GHCL

데이터 시트 : K4U8E3S4AD-GHCL.pdf

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CAP CER 2500PF 14KV SCREW.

MC04YC223KAA

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BZ118100WV10136CB1

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CAP CER 3000PF 50V BP 1210.

WX110250WJ47238BJ1

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WF110250WJ50238BJ1

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