GSID600A120S4B1 - SILICON IGBT MODULES

제조업체 부품 번호

GSID600A120S4B1

내부 부품 번호

AX-GSID600A120S4B1

제조사

Global Power Technologies Group

간단한 설명

SILICON IGBT MODULES

RoHS 상태

무연 / RoHS 준수

배달 시간

1-2 일

주문 가능 수량

4464 Pieces

참조 가격

~~USD 100.3395~~

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사양 GSID600A120S4B1

품질 보증 : 365 일 보증

재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접

원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

부품 번호 : GSID600A120S4B1

제조사 : Global Power Technologies Group

기술 : SILICON IGBT MODULES

시리즈 : Amp+™

부품 상태 : Active

IGBT 유형 : -

구성 : Half Bridge

전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) : 1200V

전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) : 1130A

전력 - 최대 : 3060W

VCE (on) (최대) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 600A

전류 - 콜렉터 차단 (최대) : 1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce : 51nF @ 25V

입력 : Standard

NTC 서미스터 : Yes

작동 온도 : -40°C ~ 150°C

실장 형 : Chassis Mount

패키지 / 케이스 : Module

공급 업체 장치 패키지 : Module

무게 : -

조건 : 새롭고 독창적

에 대한 문서 GSID600A120S4B1

데이터 시트 : GSID600A120S4B1.pdf

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