1N8026-GA - DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257

제조업체 부품 번호
내부 부품 번호
간단한 설명
DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257
RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
배달 시간
1-2 일
주문 가능 수량
9368 Pieces
참조 가격
USD 124.86
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사양 1N8026-GA

품질 보증 : 365 일 보증
재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접
원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
부품 번호 : 1N8026-GA
제조사 : GeneSiC Semiconductor
기술 : DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257
시리즈 : -
부품 상태 : Obsolete
다이오드 유형 : Silicon Carbide Schottky
전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) : 1200V
전류 - 평균 정류 (Io) : 8A (DC)
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If : 1.6V @ 2.5A
속도 : No Recovery Time > 500mA (Io)
역 회복 시간 (trr) : 0ns
전류 - 역방향 누설량 (Vr) : 10µA @ 1200V
커패시턴스 @ Vr, F : 237pF @ 1V, 1MHz
실장 형 : Through Hole
패키지 / 케이스 : TO-257-3
공급 업체 장치 패키지 : TO-257
작동 온도 - 정션 : -55°C ~ 250°C
무게 : -
조건 : 새롭고 독창적
관련된 링크들 : 1N8 , 1N80

에 대한 문서 1N8026-GA

데이터 시트 : 1N8026-GA.pdf

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