QJD1210010 - MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC

제조업체 부품 번호
내부 부품 번호
제조사
간단한 설명
MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
배달 시간
1-2 일
주문 가능 수량
28497 Pieces
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USD 0
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사양 QJD1210010

품질 보증 : 365 일 보증
재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접
원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
부품 번호 : QJD1210010
제조사 : Powerex Inc.
기술 : MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
시리즈 : -
부품 상태 : Active
FET 유형 : 2 N-Channel (Dual)
FET 특징 : Silicon Carbide (SiC)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 1200V (1.2kV)
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 100A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 100A, 20V
Vgs (th) (최대) @ ID : 5V @ 10mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 500nC @ 20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 10200pF @ 800V
전력 - 최대 : 1080W
작동 온도 : -40°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 : Chassis Mount
패키지 / 케이스 : Module
공급 업체 장치 패키지 : Module
무게 : -
조건 : 새롭고 독창적
관련된 링크들 : QJD , QJD12

에 대한 문서 QJD1210010

데이터 시트 : QJD1210010.pdf

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CDR31BP100BJZRAB

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