SSM6N16FUTE85LF - MOSFET 2N-CH 20V 0.1A US6

제조업체 부품 번호

SSM6N16FUTE85LF

내부 부품 번호

AX-SSM6N16FUTE85LF

제조사

Toshiba Semiconductor and Storage

간단한 설명

MOSFET 2N-CH 20V 0.1A US6

RoHS 상태

무연 / RoHS 준수

배달 시간

1-2 일

주문 가능 수량

6152725 Pieces

참조 가격

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사양 SSM6N16FUTE85LF

품질 보증 : 365 일 보증

재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접

원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

부품 번호 : SSM6N16FUTE85LF

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage

기술 : MOSFET 2N-CH 20V 0.1A US6

시리즈 : -

부품 상태 : Active

FET 유형 : 2 N-Channel (Dual)

FET 특징 : Standard

드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 20V

전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 100mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs : 3 Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (최대) @ ID : 1.1V @ 100µA

게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : -

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 9.3pF @ 3V

전력 - 최대 : 200mW

작동 온도 : 150°C (TJ)

실장 형 : Surface Mount

패키지 / 케이스 : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급 업체 장치 패키지 : US6

무게 : -

조건 : 새롭고 독창적

에 대한 문서 SSM6N16FUTE85LF

데이터 시트 : SSM6N16FUTE85LF.pdf

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