SIAA00DJ-T1-GE3 - MOSFET N-CHAN 25V

제조업체 부품 번호

SIAA00DJ-T1-GE3

내부 부품 번호

AX-SIAA00DJ-T1-GE3

제조사

Vishay Siliconix

간단한 설명

MOSFET N-CHAN 25V

RoHS 상태

무연 / RoHS 준수

배달 시간

1-2 일

주문 가능 수량

1513285 Pieces

참조 가격

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사양 SIAA00DJ-T1-GE3

품질 보증 : 365 일 보증

재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접

원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

부품 번호 : SIAA00DJ-T1-GE3

제조사 : Vishay Siliconix

기술 : MOSFET N-CHAN 25V

시리즈 : TrenchFET® Gen IV

부품 상태 : Active

FET 유형 : N-Channel

과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)

드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 25V

전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 20.1A (Ta), 40A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs : 5.6 mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ ID : 2.5V @ 250µA

게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 24nC @ 10V

Vgs (최대) : +16V, -12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 1090pF @ 12.5V

FET 특징 : -

전력 발산 (최대) : 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)

작동 온도 : -55°C ~ 150°C (TJ)

실장 형 : Surface Mount

공급 업체 장치 패키지 : PowerPAK® SC-70-6 Single

패키지 / 케이스 : PowerPAK® SC-70-6

무게 : -

조건 : 새롭고 독창적

에 대한 문서 SIAA00DJ-T1-GE3

데이터 시트 : SIAA00DJ-T1-GE3.pdf

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