GA100JT12-227 - TRANS SJT 1200V 160A SOT227

제조업체 부품 번호
내부 부품 번호
간단한 설명
TRANS SJT 1200V 160A SOT227
RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
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1-2 일
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21896 Pieces
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사양 GA100JT12-227

품질 보증 : 365 일 보증
재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접
원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
부품 번호 : GA100JT12-227
제조사 : GeneSiC Semiconductor
기술 : TRANS SJT 1200V 160A SOT227
시리즈 : -
부품 상태 : Obsolete
FET 유형 : -
과학 기술 : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 1200V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 160A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : -
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 100A
Vgs (th) (최대) @ ID : -
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : -
Vgs (최대) : -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 14400pF @ 800V
FET 특징 : -
전력 발산 (최대) : 535W (Tc)
작동 온도 : -55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 : Chassis Mount
공급 업체 장치 패키지 : SOT-227
패키지 / 케이스 : SOT-227-4, miniBLOC
무게 : -
조건 : 새롭고 독창적
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에 대한 문서 GA100JT12-227

데이터 시트 : GA100JT12-227.pdf

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