IRF8513TRPBF - MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC

제조업체 부품 번호

IRF8513TRPBF

내부 부품 번호

AX-IRF8513TRPBF

제조사

Infineon Technologies

간단한 설명

MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC

RoHS 상태

무연 / RoHS 준수

배달 시간

1-2 일

주문 가능 수량

27412 Pieces

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사양 IRF8513TRPBF

품질 보증 : 365 일 보증

재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접

원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

부품 번호 : IRF8513TRPBF

제조사 : Infineon Technologies

기술 : MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC

시리즈 : HEXFET®

부품 상태 : Obsolete

FET 유형 : 2 N-Channel (Dual)

FET 특징 : Logic Level Gate

드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 30V

전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 8A, 11A

Rds On (최대) @ Id, Vgs : 15.5 mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ ID : 2.35V @ 25µA

게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 8.6nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 766pF @ 15V

전력 - 최대 : 1.5W, 2.4W

작동 온도 : -55°C ~ 175°C (TJ)

실장 형 : Surface Mount

패키지 / 케이스 : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급 업체 장치 패키지 : 8-SO

무게 : -

조건 : 새롭고 독창적

에 대한 문서 IRF8513TRPBF

데이터 시트 : IRF8513TRPBF.pdf

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