NDD03N80Z-1G - MOSFET N-CH 800V 2.9A IPAK

제조업체 부품 번호

NDD03N80Z-1G

내부 부품 번호

AX-NDD03N80Z-1G

제조사

ON Semiconductor

간단한 설명

MOSFET N-CH 800V 2.9A IPAK

RoHS 상태

무연 / RoHS 준수

배달 시간

1-2 일

주문 가능 수량

21816 Pieces

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사양 NDD03N80Z-1G

품질 보증 : 365 일 보증

재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접

원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

부품 번호 : NDD03N80Z-1G

제조사 : ON Semiconductor

기술 : MOSFET N-CH 800V 2.9A IPAK

시리즈 : -

부품 상태 : Obsolete

FET 유형 : N-Channel

과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)

드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 800V

전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 2.9A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs : 4.5 Ohm @ 1.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ ID : 4.5V @ 50µA

게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 17nC @ 10V

Vgs (최대) : ±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 440pF @ 25V

FET 특징 : -

전력 발산 (최대) : 96W (Tc)

작동 온도 : -55°C ~ 150°C (TJ)

실장 형 : Through Hole

공급 업체 장치 패키지 : I-PAK

패키지 / 케이스 : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

무게 : -

조건 : 새롭고 독창적

에 대한 문서 NDD03N80Z-1G

데이터 시트 : NDD03N80Z-1G.pdf

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