APTM100DDA35T3G - MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3

제조업체 부품 번호
내부 부품 번호
간단한 설명
MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3
RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
배달 시간
1-2 일
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27090 Pieces
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사양 APTM100DDA35T3G

품질 보증 : 365 일 보증
재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접
원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
부품 번호 : APTM100DDA35T3G
제조사 : Microsemi Corporation
기술 : MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3
시리즈 : -
부품 상태 : Obsolete
FET 유형 : 2 N-Channel (Dual)
FET 특징 : Standard
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 1000V (1kV)
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 22A
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 420 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID : 5V @ 2.5mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 186nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 5200pF @ 25V
전력 - 최대 : 390W
작동 온도 : -40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 : Chassis Mount
패키지 / 케이스 : SP3
공급 업체 장치 패키지 : SP3
무게 : -
조건 : 새롭고 독창적
관련된 링크들 : APTM1 , APTM100

에 대한 문서 APTM100DDA35T3G

데이터 시트 : APTM100DDA35T3G.pdf

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