IRG7CH30K10EF - IGBT CHIP WAFER

제조업체 부품 번호

IRG7CH30K10EF

내부 부품 번호

AX-IRG7CH30K10EF

제조사

Infineon Technologies

간단한 설명

IGBT CHIP WAFER

RoHS 상태

무연 / RoHS 준수

배달 시간

1-2 일

주문 가능 수량

338715 Pieces

참조 가격

~~USD 0.8283~~

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사양 IRG7CH30K10EF

품질 보증 : 365 일 보증

재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접

원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

부품 번호 : IRG7CH30K10EF

제조사 : Infineon Technologies

기술 : IGBT CHIP WAFER

시리즈 : -

부품 상태 : Active

IGBT 유형 : Trench

전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) : 1200V

전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) : 10A

전류 - 콜렉터 펄스 (Icm) : -

VCE (on) (최대) @ Vge, Ic : 2.56V @ 15V, 10A

전력 - 최대 : -

스위칭 에너지 : -

입력 유형 : Standard

게이트 차지 : 4.8nC

Td (온 / 오프) @ 25 ° C : 10ns/90ns

시험 조건 : 600V, 10A, 22 Ohm, 15V

역 회복 시간 (trr) : -

작동 온도 : -40°C ~ 175°C (TJ)

실장 형 : Surface Mount

패키지 / 케이스 : Die

공급 업체 장치 패키지 : Die

무게 : -

조건 : 새롭고 독창적

에 대한 문서 IRG7CH30K10EF

데이터 시트 : IRG7CH30K10EF.pdf

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부품 번호	상표	기술
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