SSM6L09FUTE85LF - MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6
제조업체 부품 번호
내부 부품 번호
간단한 설명
MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6
RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
배달 시간
1-2 일
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4557565 Pieces
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사양 SSM6L09FUTE85LF
품질 보증 : 365 일 보증
재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접
원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
부품 번호 : SSM6L09FUTE85LF
제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage
기술 : MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6
시리즈 : -
부품 상태 : Active
FET 유형 : N and P-Channel
FET 특징 : Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 400mA, 200mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 700 mOhm @ 200MA, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID : 1.8V @ 100µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 20pF @ 5V
전력 - 최대 : 300mW
작동 온도 : 150°C (TJ)
실장 형 : Surface Mount
패키지 / 케이스 : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급 업체 장치 패키지 : US6
무게 : -
조건 : 새롭고 독창적
에 대한 문서 SSM6L09FUTE85LF
데이터 시트 : SSM6L09FUTE85LF.pdf
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