FF6MR12W2M1B11BOMA1 - MOSFET MODULE 1200V 200A

제조업체 부품 번호
내부 부품 번호
간단한 설명
MOSFET MODULE 1200V 200A
RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
배달 시간
1-2 일
주문 가능 수량
9211 Pieces
참조 가격
USD 191.874
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사양 FF6MR12W2M1B11BOMA1

품질 보증 : 365 일 보증
재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접
원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
부품 번호 : FF6MR12W2M1B11BOMA1
제조사 : Infineon Technologies
기술 : MOSFET MODULE 1200V 200A
시리즈 : CoolSiC™
부품 상태 : Active
FET 유형 : 2 N-Channel (Dual)
FET 특징 : Silicon Carbide (SiC)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 1200V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 200A (Tj)
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 5.63 mOhm @ 200A, 15V
Vgs (th) (최대) @ ID : 5.55V @ 10mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 496nC @ 15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 14700pF @ 800V
전력 - 최대 : 20mW (Tc)
작동 온도 : -40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 : Chassis Mount
패키지 / 케이스 : Module
공급 업체 장치 패키지 : AG-EASY2BM-2
무게 : -
조건 : 새롭고 독창적
관련된 링크들 : FF6MR1 , FF6MR12W2

에 대한 문서 FF6MR12W2M1B11BOMA1

데이터 시트 : FF6MR12W2M1B11BOMA1.pdf

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CAP CER 0805 150NF 63V X7R 10.

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