THGBMNG5D1LBAIL - 4GB NAND 15NM EMBEDDED MULTIMEDI

제조업체 부품 번호

THGBMNG5D1LBAIL

내부 부품 번호

AX-THGBMNG5D1LBAIL

제조사

Toshiba Memory America, Inc.

간단한 설명

4GB NAND 15NM EMBEDDED MULTIMEDI

RoHS 상태

무연 / RoHS 준수

배달 시간

1-2 일

주문 가능 수량

76680 Pieces

참조 가격

~~USD 4.068~~

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사양 THGBMNG5D1LBAIL

품질 보증 : 365 일 보증

재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접

원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

부품 번호 : THGBMNG5D1LBAIL

제조사 : Toshiba Memory America, Inc.

기술 : 4GB NAND 15NM EMBEDDED MULTIMEDI

시리즈 : e•MMC™

부품 상태 : Active

메모리 유형 : Non-Volatile

메모리 형식 : FLASH

과학 기술 : FLASH - NAND (MLC)

메모리 크기 : 4G (512M x 8)

클럭 주파수 : 200MHz

쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 : -

액세스 시간 : -

메모리 인터페이스 : eMMC

전압 - 공급 : 2.7V ~ 3.6V

작동 온도 : -25°C ~ 85°C (TA)

실장 형 : Surface Mount

패키지 / 케이스 : 153-WFBGA

공급 업체 장치 패키지 : 153-WFBGA (11.5x13)

무게 : -

조건 : 새롭고 독창적

에 대한 문서 THGBMNG5D1LBAIL

데이터 시트 : THGBMNG5D1LBAIL.pdf

관련 제품 THGBMNG5D1LBAIL Toshiba Memory America, Inc.

부품 번호	상표	기술
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WI140316WQ75236BJ3	Vishay Beyschlag	CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.
BZ118078WV50036CB1	Vishay Beyschlag	CAP CER 50PF 30KV AXIAL.
WI106266WL50236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 16KV SCREW.
CDR31BP100BJZRAB	Vishay Vitramon	CAP CER 10PF 100V BP 0805.
WF135265BH88236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 8800PF 10KV SCREW.
WF110250WJ47238BJ2	Vishay Beyschlag	CAP CER 4700PF 14KV SCREW.
GRM1555C1E8R1CZ01D	Murata Electronics North America	CAP CER 8.1PF 25V NP0 0402.
12065C223KHT1A	AVX Corporation	CAP CER 0.022UF 50V X7R 1206.
PEF220WP60238BK1	Vishay Beyschlag	CAP CER 6000PF 20KV R230 DISK.
PE0200WJ12233BH1	Vishay Beyschlag	CAP CER 1200PF 14KV R42 DISK.
B37987F1223M051	EPCOS (TDK)	CAP CER 0.022UF 100V X7R RADIAL.
PZ0140WL10136CB1	Vishay Beyschlag	CAP CER 100PF 16KV DISK.