IPD60R180P7ATMA1 - MOSFET N-CH 650V 18A TO252-3

제조업체 부품 번호

IPD60R180P7ATMA1

내부 부품 번호

AX-IPD60R180P7ATMA1

제조사

Infineon Technologies

간단한 설명

MOSFET N-CH 650V 18A TO252-3

RoHS 상태

무연 / RoHS 준수

배달 시간

1-2 일

주문 가능 수량

346015 Pieces

참조 가격

~~USD 0.810834~~

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사양 IPD60R180P7ATMA1

품질 보증 : 365 일 보증

재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접

원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

부품 번호 : IPD60R180P7ATMA1

제조사 : Infineon Technologies

기술 : MOSFET N-CH 650V 18A TO252-3

시리즈 : CoolMOS™ P7

부품 상태 : Active

FET 유형 : N-Channel

과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)

드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 650V

전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 18A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs : 180 mOhm @ 5.6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ ID : 4V @ 280µA

게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 25nC @ 10V

Vgs (최대) : ±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 1081pF @ 400V

FET 특징 : -

전력 발산 (최대) : 72W (Tc)

작동 온도 : -55°C ~ 150°C (TJ)

실장 형 : Surface Mount

공급 업체 장치 패키지 : PG-TO252-3

패키지 / 케이스 : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

무게 : -

조건 : 새롭고 독창적

에 대한 문서 IPD60R180P7ATMA1

데이터 시트 : IPD60R180P7ATMA1.pdf

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