HN3C10FUTE85LF - RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6
제조업체 부품 번호
내부 부품 번호
간단한 설명
RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6
RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
배달 시간
1-2 일
주문 가능 수량
59946 Pieces
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사양 HN3C10FUTE85LF
품질 보증 :
365 일 보증
재고 자원 :
프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접
원산지 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
부품 번호 :
HN3C10FUTE85LF
제조사 :
Toshiba Semiconductor and Storage
기술 :
RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6
시리즈 :
-
부품 상태 :
Active
트랜지스터 유형 :
2 NPN (Dual)
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) :
12V
빈도 - 전환 :
7GHz
잡음 지수 (dB Typ @ f) :
1.1dB @ 1GHz
이득 :
11.5dB
전력 - 최대 :
200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce :
80 @ 20mA, 10V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) :
80mA
작동 온도 :
-
실장 형 :
Surface Mount
패키지 / 케이스 :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급 업체 장치 패키지 :
US6
무게 :
-
조건 :
새롭고 독창적
에 대한 문서 HN3C10FUTE85LF
데이터 시트 :
HN3C10FUTE85LF.pdf
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