1N6622US - DIODE GEN PURP 660V 1.2A A-MELF

제조업체 부품 번호
내부 부품 번호
간단한 설명
DIODE GEN PURP 660V 1.2A A-MELF
RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
배달 시간
1-2 일
주문 가능 수량
48870 Pieces
참조 가격
USD 6.888
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사양 1N6622US

품질 보증 : 365 일 보증
재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접
원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
부품 번호 : 1N6622US
제조사 : Microsemi Corporation
기술 : DIODE GEN PURP 660V 1.2A A-MELF
시리즈 : -
부품 상태 : Active
다이오드 유형 : Standard
전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) : 660V
전류 - 평균 정류 (Io) : 1.2A
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If : 1.4V @ 1.2A
속도 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 회복 시간 (trr) : 30ns
전류 - 역방향 누설량 (Vr) : 500nA @ 660V
커패시턴스 @ Vr, F : 10pF @ 10V, 1MHz
실장 형 : Surface Mount
패키지 / 케이스 : SQ-MELF, A
공급 업체 장치 패키지 : A-MELF
작동 온도 - 정션 : -65°C ~ 150°C
무게 : -
조건 : 새롭고 독창적
관련된 링크들 : 1N , 1N66

에 대한 문서 1N6622US

데이터 시트 : 1N6622US.pdf

관련 제품 1N6622US Microsemi Corporation

부품 번호 상표 기술 구입

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