JAN1N5804US - DIODE GEN PURP 100V 2.5A D5A

제조업체 부품 번호
내부 부품 번호
간단한 설명
DIODE GEN PURP 100V 2.5A D5A
RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
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1-2 일
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19856 Pieces
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사양 JAN1N5804US

품질 보증 : 365 일 보증
재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접
원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
부품 번호 : JAN1N5804US
제조사 : Microsemi Corporation
기술 : DIODE GEN PURP 100V 2.5A D5A
시리즈 : Military, MIL-PRF-19500/477
부품 상태 : Discontinued at Digi-Key
다이오드 유형 : Standard
전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) : 100V
전류 - 평균 정류 (Io) : 2.5A
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If : 975mV @ 2.5A
속도 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 회복 시간 (trr) : 25ns
전류 - 역방향 누설량 (Vr) : 1µA @ 100V
커패시턴스 @ Vr, F : 25pF @ 10V, 1MHz
실장 형 : Surface Mount
패키지 / 케이스 : SQ-MELF, A
공급 업체 장치 패키지 : D-5A
작동 온도 - 정션 : -65°C ~ 175°C
무게 : -
조건 : 새롭고 독창적
관련된 링크들 : JAN , JAN1N

에 대한 문서 JAN1N5804US

데이터 시트 : JAN1N5804US.pdf

관련 제품 JAN1N5804US Microsemi Corporation

부품 번호 상표 기술 구입

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TF170311WW40236BJ2

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CAP CER 4000PF 32KV R85.

WI140316WQ75236BJ2

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