IRF7341TRPBF - MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC

제조업체 부품 번호

IRF7341TRPBF

내부 부품 번호

AX-IRF7341TRPBF

제조사

Infineon Technologies

간단한 설명

MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC

RoHS 상태

무연 / RoHS 준수

배달 시간

1-2 일

주문 가능 수량

854540 Pieces

참조 가격

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사양 IRF7341TRPBF

품질 보증 : 365 일 보증

재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접

원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

부품 번호 : IRF7341TRPBF

제조사 : Infineon Technologies

기술 : MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC

시리즈 : HEXFET®

부품 상태 : Active

FET 유형 : 2 N-Channel (Dual)

FET 특징 : Logic Level Gate

드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 55V

전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 4.7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs : 50 mOhm @ 4.7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ ID : 1V @ 250µA

게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 36nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 740pF @ 25V

전력 - 최대 : 2W

작동 온도 : -55°C ~ 150°C (TJ)

실장 형 : Surface Mount

패키지 / 케이스 : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급 업체 장치 패키지 : 8-SO

무게 : -

조건 : 새롭고 독창적

에 대한 문서 IRF7341TRPBF

데이터 시트 : IRF7341TRPBF.pdf

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