IPC60R099C6X1SA1 - MOSFET N-CH BARE DIE

제조업체 부품 번호
내부 부품 번호
간단한 설명
MOSFET N-CH BARE DIE
RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
배달 시간
1-2 일
주문 가능 수량
128115 Pieces
참조 가격
USD 2.18976
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사양 IPC60R099C6X1SA1

품질 보증 : 365 일 보증
재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접
원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
부품 번호 : IPC60R099C6X1SA1
제조사 : Infineon Technologies
기술 : MOSFET N-CH BARE DIE
시리즈 : *
부품 상태 : Active
FET 유형 : -
과학 기술 : -
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : -
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : -
Rds On (최대) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (최대) @ ID : -
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : -
Vgs (최대) : -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : -
FET 특징 : -
전력 발산 (최대) : -
작동 온도 : -
실장 형 : -
공급 업체 장치 패키지 : -
패키지 / 케이스 : -
무게 : -
조건 : 새롭고 독창적
관련된 링크들 : IPC60 , IPC60R09

에 대한 문서 IPC60R099C6X1SA1

데이터 시트 : IPC60R099C6X1SA1.pdf

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부품 번호 상표 기술 구입

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CAP CER 10000PF 20KV SCREW.

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CAP CER 52PF 400VAC SL RADIAL.

WF165335WL10336BJ1

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CAP CER 10000PF 16KV SCREW.

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WF165380WQ75236BJ1

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CAP CER 220PF 100V BP 1805.

C0805C154KMREC

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GRM1555C1E8R1CZ01D

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WI085215WJ10238BH1

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WI140316WQ75236BJ4

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