MURTA20060R - DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER
제조업체 부품 번호
내부 부품 번호
AX-MURTA20060R
간단한 설명
DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER
RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
배달 시간
1-2 일
주문 가능 수량
7144 Pieces
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사양 MURTA20060R
품질 보증 : 365 일 보증
재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접
원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
부품 번호 : MURTA20060R
제조사 : GeneSiC Semiconductor
기술 : DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER
시리즈 : -
부품 상태 : Active
다이오드 구성 : 1 Pair Common Anode
다이오드 유형 : Standard
전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) : 600V
전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당) : 100A
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If : 1.7V @ 100A
속도 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 회복 시간 (trr) : -
전류 - 역방향 누설량 (Vr) : 25µA @ 600V
작동 온도 - 정션 : -55°C ~ 150°C
실장 형 : Chassis Mount
패키지 / 케이스 : Three Tower
공급 업체 장치 패키지 : Three Tower
무게 : -
조건 : 새롭고 독창적
에 대한 문서 MURTA20060R
데이터 시트 : MURTA20060R.pdf
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