GA03JT12-247 - TRANS SJT 1200V 3A TO-247AB

제조업체 부품 번호

GA03JT12-247

내부 부품 번호

AX-GA03JT12-247

제조사

GeneSiC Semiconductor

간단한 설명

TRANS SJT 1200V 3A TO-247AB

RoHS 상태

무연 / RoHS 준수

배달 시간

1-2 일

주문 가능 수량

16752 Pieces

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사양 GA03JT12-247

품질 보증 : 365 일 보증

재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접

원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

부품 번호 : GA03JT12-247

제조사 : GeneSiC Semiconductor

기술 : TRANS SJT 1200V 3A TO-247AB

시리즈 : -

부품 상태 : Obsolete

FET 유형 : -

과학 기술 : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 1200V

전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 3A (Tc) (95°C)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : -

Rds On (최대) @ Id, Vgs : 460 mOhm @ 3A

Vgs (th) (최대) @ ID : -

게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : -

Vgs (최대) : -

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : -

FET 특징 : -

전력 발산 (최대) : 15W (Tc)

작동 온도 : 175°C (TJ)

실장 형 : Through Hole

공급 업체 장치 패키지 : TO-247AB

패키지 / 케이스 : TO-247-3

무게 : -

조건 : 새롭고 독창적

에 대한 문서 GA03JT12-247

데이터 시트 : GA03JT12-247.pdf

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CDR35BP103BKUSAR	Vishay Vitramon	CAP CER 10000PF 100V BP 1825.
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