BSP300L6327HUSA1 - MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223

제조업체 부품 번호

BSP300L6327HUSA1

내부 부품 번호

AX-BSP300L6327HUSA1

제조사

Infineon Technologies

간단한 설명

MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223

RoHS 상태

무연 / RoHS 준수

배달 시간

1-2 일

주문 가능 수량

9020 Pieces

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사양 BSP300L6327HUSA1

품질 보증 : 365 일 보증

재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접

원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

부품 번호 : BSP300L6327HUSA1

제조사 : Infineon Technologies

기술 : MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223

시리즈 : SIPMOS®

부품 상태 : Obsolete

FET 유형 : N-Channel

과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)

드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 800V

전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 190mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs : 20 Ohm @ 190mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ ID : 4V @ 1mA

게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : -

Vgs (최대) : ±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 230pF @ 25V

FET 특징 : -

전력 발산 (최대) : 1.8W (Ta)

작동 온도 : -55°C ~ 150°C (TJ)

실장 형 : Surface Mount

공급 업체 장치 패키지 : PG-SOT223-4

패키지 / 케이스 : TO-261-4, TO-261AA

무게 : -

조건 : 새롭고 독창적

에 대한 문서 BSP300L6327HUSA1

데이터 시트 : BSP300L6327HUSA1.pdf

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