IRFHM8363TRPBF - MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
제조업체 부품 번호
내부 부품 번호
간단한 설명
MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
배달 시간
1-2 일
주문 가능 수량
1214560 Pieces
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사양 IRFHM8363TRPBF
품질 보증 : 365 일 보증
재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접
원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
부품 번호 : IRFHM8363TRPBF
제조사 : Infineon Technologies
기술 : MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
시리즈 : HEXFET®
부품 상태 : Not For New Designs
FET 유형 : 2 N-Channel (Dual)
FET 특징 : Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 11A
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 14.9 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID : 2.35V @ 25µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 15nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 1165pF @ 10V
전력 - 최대 : 2.7W
작동 온도 : -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 : Surface Mount
패키지 / 케이스 : 8-PowerVDFN
공급 업체 장치 패키지 : 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
무게 : -
조건 : 새롭고 독창적
에 대한 문서 IRFHM8363TRPBF
데이터 시트 : IRFHM8363TRPBF.pdf
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