FCPF11N65_G - INTEGRATED CIRCUIT

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내부 부품 번호
제조사
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INTEGRATED CIRCUIT
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무연 / RoHS 준수
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1-2 일
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사양 FCPF11N65_G

품질 보증 : 365 일 보증
재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접
원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
부품 번호 : FCPF11N65_G
제조사 : ON Semiconductor
기술 : INTEGRATED CIRCUIT
시리즈 : -
부품 상태 : Obsolete
FET 유형 : -
과학 기술 : -
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : -
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : -
Rds On (최대) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (최대) @ ID : -
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : -
Vgs (최대) : -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : -
FET 특징 : -
전력 발산 (최대) : -
작동 온도 : -
실장 형 : -
공급 업체 장치 패키지 : -
패키지 / 케이스 : -
무게 : -
조건 : 새롭고 독창적
관련된 링크들 : FCP , FCPF1

에 대한 문서 FCPF11N65_G

데이터 시트 : FCPF11N65_G.pdf

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부품 번호 상표 기술 구입

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