W987D2HBJX6I TR - IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

제조업체 부품 번호

W987D2HBJX6I TR

내부 부품 번호

AX-W987D2HBJX6I TR

제조사

Winbond Electronics

간단한 설명

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

RoHS 상태

무연 / RoHS 준수

배달 시간

1-2 일

주문 가능 수량

238060 Pieces

참조 가격

~~USD 1.310346~~

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사양 W987D2HBJX6I TR

품질 보증 : 365 일 보증

재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접

원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

부품 번호 : W987D2HBJX6I TR

제조사 : Winbond Electronics

기술 : IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

시리즈 : -

부품 상태 : Not For New Designs

메모리 유형 : Volatile

메모리 형식 : DRAM

과학 기술 : SDRAM - Mobile LPSDR

메모리 크기 : 128Mb (4M x 32)

클럭 주파수 : 166MHz

쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 : 15ns

액세스 시간 : 5.4ns

메모리 인터페이스 : Parallel

전압 - 공급 : 1.7V ~ 1.95V

작동 온도 : -40°C ~ 85°C (TA)

실장 형 : Surface Mount

패키지 / 케이스 : 90-TFBGA

공급 업체 장치 패키지 : 90-VFBGA (8x13)

무게 : -

조건 : 새롭고 독창적

에 대한 문서 W987D2HBJX6I TR

데이터 시트 : W987D2HBJX6I TR.pdf

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CDR31BX332BKZPAB	Vishay Vitramon	CAP CER 3300PF 100V BX 0805.
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WF165336WQ75236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.
WF135285WP50238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 20KV SCREW.
WI106266WP40236BJ2	Vishay Beyschlag	CAP CER 4000PF 20KV SCREW.