BAS516,L3F - DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC

제조업체 부품 번호
내부 부품 번호
간단한 설명
DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC
RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
배달 시간
1-2 일
주문 가능 수량
16942285 Pieces
참조 가격
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사양 BAS516,L3F

품질 보증 : 365 일 보증
재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접
원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
부품 번호 : BAS516,L3F
제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage
기술 : DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC
시리즈 : -
부품 상태 : Active
다이오드 유형 : Standard
전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) : 100V
전류 - 평균 정류 (Io) : 250mA
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If : 1.25V @ 150mA
속도 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 회복 시간 (trr) : 3ns
전류 - 역방향 누설량 (Vr) : 200nA @ 80V
커패시턴스 @ Vr, F : 0.35pF @ 0V, 1MHz
실장 형 : Surface Mount
패키지 / 케이스 : SC-79, SOD-523
공급 업체 장치 패키지 : ESC
작동 온도 - 정션 : 150°C (Max)
무게 : -
조건 : 새롭고 독창적
관련된 링크들 : BAS , BAS51

에 대한 문서 BAS516,L3F

데이터 시트 : BAS516,L3F.pdf

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