BSM180D12P2C101 - MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE

제조업체 부품 번호

BSM180D12P2C101

내부 부품 번호

AX-BSM180D12P2C101

제조사

Rohm Semiconductor

간단한 설명

MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE

RoHS 상태

무연 / RoHS 준수

배달 시간

1-2 일

주문 가능 수량

9144 Pieces

참조 가격

~~USD 249.12~~

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사양 BSM180D12P2C101

품질 보증 : 365 일 보증

재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접

원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

부품 번호 : BSM180D12P2C101

제조사 : Rohm Semiconductor

기술 : MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE

시리즈 : -

부품 상태 : Active

FET 유형 : 2 N-Channel (Half Bridge)

FET 특징 : Silicon Carbide (SiC)

드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 1200V (1.2kV)

전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 204A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs : -

Vgs (th) (최대) @ ID : 4V @ 35.2mA

게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : -

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 23000pF @ 10V

전력 - 최대 : 1130W

작동 온도 : -40°C ~ 150°C (TJ)

실장 형 : -

패키지 / 케이스 : Module

공급 업체 장치 패키지 : Module

무게 : -

조건 : 새롭고 독창적

에 대한 문서 BSM180D12P2C101

데이터 시트 : BSM180D12P2C101.pdf

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