TPC6012(TE85L,F,M) - MOSFET N-CH 20V 6A VS6

제조업체 부품 번호
내부 부품 번호
간단한 설명
MOSFET N-CH 20V 6A VS6
RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
배달 시간
1-2 일
주문 가능 수량
12808 Pieces
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USD 0
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사양 TPC6012(TE85L,F,M)

품질 보증 : 365 일 보증
재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접
원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
부품 번호 : TPC6012(TE85L,F,M)
제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage
기술 : MOSFET N-CH 20V 6A VS6
시리즈 : U-MOSIV
부품 상태 : Active
FET 유형 : N-Channel
과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID : 1.2V @ 200µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 9nC @ 5V
Vgs (최대) : ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 630pF @ 10V
FET 특징 : -
전력 발산 (최대) : 700mW (Ta)
작동 온도 : 150°C (TJ)
실장 형 : Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 : VS-6 (2.9x2.8)
패키지 / 케이스 : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
무게 : -
조건 : 새롭고 독창적
관련된 링크들 : TPC601 , TPC6012(T

에 대한 문서 TPC6012(TE85L,F,M)

데이터 시트 : TPC6012(TE85L,F,M).pdf

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