FGD3N60LSDTM-T - INTEGRATED CIRCUIT

제조업체 부품 번호
내부 부품 번호
제조사
간단한 설명
INTEGRATED CIRCUIT
RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
배달 시간
1-2 일
주문 가능 수량
57840 Pieces
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USD 0
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사양 FGD3N60LSDTM-T

품질 보증 : 365 일 보증
재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접
원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
부품 번호 : FGD3N60LSDTM-T
제조사 : ON Semiconductor
기술 : INTEGRATED CIRCUIT
시리즈 : -
부품 상태 : Obsolete
IGBT 유형 : -
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) : 600V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) : 6A
전류 - 콜렉터 펄스 (Icm) : 25A
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic : 1.5V @ 10V, 3A
전력 - 최대 : 40W
스위칭 에너지 : 250µJ (on), 1mJ (off)
입력 유형 : Standard
게이트 차지 : 12.5nC
Td (온 / 오프) @ 25 ° C : 40ns/600ns
시험 조건 : 480V, 3A, 470 Ohm, 10V
역 회복 시간 (trr) : 234ns
작동 온도 : -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 : Surface Mount
패키지 / 케이스 : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급 업체 장치 패키지 : TO-252, (D-Pak)
무게 : -
조건 : 새롭고 독창적
관련된 링크들 : FGD3 , FGD3N60

에 대한 문서 FGD3N60LSDTM-T

데이터 시트 : FGD3N60LSDTM-T.pdf

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CAP CER 1000PF 40KV AXIAL.

WI140266WQ75236BJ1

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